电阻率是硅单晶重要的参数，不同的器件需要不同的电阻率硅片。一般情况下，晶体硅的电阻率、载流子浓度及掺杂浓度是相互关联的，只要测定其中之一即可确定其他两项。而电阻率的测试方法较为简单，因此常以电阻率来表征硅料的掺杂浓度。常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合测量等。对于晶体硅料的电阻率测量，生产中应用最普遍的是四探针法，对于硅片的电阻率测量，微波法等非接触式测量方法由于使用方便、不损坏样品，因而应用也越来越多。
由于温度及光照对半导体的电阻率有很大影响，因此对半导体电阻率测量时要特别注意这些问题，尤其对禁带宽带较小的硅等半导体更是如此。美国国家标准局介绍的方法中，建议将待测的样品放置在恒温的大铜块上以减小温度对电阻率测量的影响。光照一方面可以产生电子空穴对使电阻率降低，另一方面可以引入虚假的光电压影响测量精度，所以也必须对试样进行避光处理。
另一个值得注意的问题是热电效应。由于环境温度差或样品中有过大的电流流过都可能使试样中各部分的温度发生变化，从而产生温差电动势。它像光电压一样会对探针间的电压产生影响，使得测量的电阻率发生偏差。除了这两个影响测量精度的因素外，探针注入、交流感应信号等也是实际测量中必须注意的。
当然，工业生产中对硅料电阻率的检测精度要求并没那么高，以下对部分方法进行简单的介绍。
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